Транзистор 2SB630-S

Цоколевка транзистора 2SB630-S

|Цоколевка транзистора 2SB630-S (маркируется как B630-S)

Характеристики транзистора 2SB630-S

  • Структура — p-n-p
  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -200 В
  • Напряжение коллектор-база, не более: -200 В
  • Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
  • Ток коллектора, не более: -2 А
  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 25 Вт
  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 80
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц
  • Корпус: TO-220

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB630 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB630-S имеет коэффициент усиления в диапазоне от 40 до 80, 2SB630-R — в диапазоне от 60 до 120, 2SB630-Q — в диапазоне от 100 до 200.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB630-S часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B630-S«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB630-S является транзистор 2SD610-S c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB630-S можно заменить на MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G