Цоколевка транзистора 2SB631-E

|

Характеристики транзистора 2SB631-E

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -100 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 8 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 200
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 130 МГц
• Корпус: TO-126

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB631 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB631-D имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SB631-E — в диапазоне от 100 до 200, 2SB631-F — в диапазоне от 160 до 320.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB631-E часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B631-E«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB631-E является транзистор 2SD600-E c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB631-E можно заменить на 2SA1021, 2SA1021-O, 2SA1184, 2SA1220, 2SA1220-Q, 2SA1220A, 2SA1220A-Q, 2SA1249, 2SA1249-Q, 2SA1408, 2SA1408-O, 2SA795, 2SA795A, 2SB631K, 2SB631K-E, 2SB649, 2SB649-C, 2SB649A, 2SB649A-C, BD792, KSA1220, KSA1220-O, KSA1220-Q, KSA1220A, KSA1220A-O, KSA1220A-Q, KTA1700, KTA1704, KTA1704-Y, MJE254