Цоколевка транзистора 2SB632

|

Характеристики транзистора 2SB632

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -25 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -25 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -2 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 10 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 320
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц
• Корпус: TO-220

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB632 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB632-D имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SB632-E — в диапазоне от 100 до 200, 2SB632-F — в диапазоне от 160 до 320.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB632 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B632«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB632 является транзистор 2SD612 c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB632 можно заменить на 2SA1078, 2SA1262, 2SA1488, 2SA1488A, 2SA1634, 2SA1635, 2SA1667, 2SA1668, 2SA770, 2SA771, 2SB1185, 2SB1187, 2SB507, 2SB514, 2SB547, 2SB632K, 2SB633, 2SB857, 2SB858, BD202, BD204, BD240, BD240A, BD240B, BD240C, BD242, BD242A, BD242B, BD242C, BD244, BD244A, BD244B, BD244C, BD302, BD304, BD534, BD536, BD538, BD540, BD540A, BD540B, BD540C, BD544, BD544A, BD544B, BD544C, BD546, BD546A, BD546B, BD546C, BD734, BD736, BD738, BD796, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD950, BD952, BD954, BD956, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D44C1, D44C10, D44C11, D44C12, D44C2, D44C3, D44C4, D44C5, D44C6, D44C7, D44C8, D44C9, D45C1, D45C10, D45C11, D45C12, D45C2, D45C3, D45C4, D45C5, D45C6, D45C7, D45C8, D45C9, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE15033, MJE15033G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G, MJF15031, MJF15031G