Цоколевка транзистора 2SB646
|
Характеристики транзистора 2SB646
- Структура — p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -120 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
- Ток коллектора, не более: -0.05 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.9 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 320
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 140 МГц
- Корпус: TO-92MOD
Классификация по hFE
Транзисторы серии 2SB646 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB646-B имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SB646-C — в диапазоне от 100 до 200, 2SB646-D — в диапазоне от 160 до 320.
Маркировка
Обозначение на корпусе транзистора 2SB646 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B646«.
Комплементарная пара
Комплементарной парой для 2SB646 является транзистор 2SD666 c n-p-n структурой.
Аналоги
Транзистор 2SB646 можно заменить на 2SA1275, 2SA1370, 2SA1371, 2SA1624, 2SB647, HSB1109S, KSA1013, KTA1275, KTA1279