Транзистор 2SB646-B

Цоколевка транзистора 2SB646-B

|Цоколевка транзистора 2SB646-B (маркируется как B646-B)

Характеристики транзистора 2SB646-B

  • Структура — p-n-p
  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
  • Напряжение коллектор-база, не более: -120 В
  • Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
  • Ток коллектора, не более: -0.05 А
  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.9 Вт
  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 120
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 140 МГц
  • Корпус: TO-92MOD

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB646 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB646-B имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SB646-C — в диапазоне от 100 до 200, 2SB646-D — в диапазоне от 160 до 320.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB646-B часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B646-B«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB646-B является транзистор 2SD666-B c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB646-B можно заменить на 2N5401C, 2SA1013, 2SA1013R, 2SA1018, 2SA1018Q, 2SA1091, 2SA1091-O, 2SA1275, 2SA1275-R, 2SA1370, 2SA1370-D, 2SA1371, 2SA1371-D, 2SA1624, 2SA1624-D, 2SA1625, 2SA1625-L, 2SA1767, 2SA1767Q, 2SA879, 2SA879-Q, 2SB1221, 2SB1221-Q, 2SB646A, 2SB646A-B, 2SB647, 2SB647A, 2SB647AB, 2SB647B, HSB1109S, HSB1109S-B, KSA1013, KSA1013R, KSA1625, KSA1625-L, KTA1275, KTA1275R, KTA1277, KTA1277O, KTA1279