Цоколевка транзистора 2SB648
|
Характеристики транзистора 2SB648
- Структура — p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -120 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -180 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
- Ток коллектора, не более: -0.05 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 320
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 140 МГц
- Корпус: TO-126
Классификация по hFE
Транзисторы серии 2SB648 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB648-B имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SB648-C — в диапазоне от 100 до 200, 2SB648-D — в диапазоне от 160 до 320.
Маркировка
Обозначение на корпусе транзистора 2SB648 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B648«.
Комплементарная пара
Комплементарной парой для 2SB648 является транзистор 2SD668 c n-p-n структурой.
Аналоги
Транзистор 2SB648 можно заменить на 2SA1322, 2SA1352, 2SA1353, 2SA1380, 2SA1381, 2SA1406, 2SA1407, 2SB1110, 2SB649, KSA1381