Цоколевка транзистора 2SB648-D

|

Характеристики транзистора 2SB648-D

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -120 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -180 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -0.05 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 160 до 320
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 140 МГц
• Корпус: TO-126

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB648 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB648-B имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SB648-C — в диапазоне от 100 до 200, 2SB648-D — в диапазоне от 160 до 320.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB648-D часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B648-D«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB648-D является транзистор 2SD668-D c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB648-D можно заменить на 2SA1142, 2SA1142P, 2SA1209, 2SA1210, 2SA1248, 2SA1249, 2SA1322, 2SA1352, 2SA1352-F, 2SA1353, 2SA1353-F, 2SA1380, 2SA1380-F, 2SA1381, 2SA1381-F, 2SA1406, 2SA1406-F, 2SA1407, 2SA1407-F, 2SA795A, 2SB1110, 2SB1110-D, 2SB649, 2SB649-D, KSA1142, KSA1142Y, KSA1381, KSA1381-F