Цоколевка транзистора 2SB648A

|

Характеристики транзистора 2SB648A

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -160 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -180 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -0.05 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 200
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 140 МГц
• Корпус: TO-126

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB648A делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB648A-B имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SB648A-C — в диапазоне от 100 до 200.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB648A часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B648A«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB648A является транзистор 2SD668A c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB648A можно заменить на 2SA1156, 2SA1322, 2SA1352, 2SA1353, 2SA1380, 2SA1381, 2SA1406, 2SA1407, 2SB1110, 2SB649A, KSA1156, KSA1381, KSE350, KTA1703, MJE350, MJE350G