Цоколевка транзистора 2SB703A

|

Характеристики транзистора 2SB703A

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -100 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -4 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 200
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 10 МГц
• Корпус: TO-220

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB703A делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB703A-S имеет коэффициент усиления в диапазоне от 40 до 80, 2SB703A-R — в диапазоне от 60 до 120, 2SB703A-Q — в диапазоне от 100 до 200.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB703A часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B703A«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB703A является транзистор 2SD743A c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB703A можно заменить на 2SA1010, 2SB1016, 2SB1090, 2SB1367, 2SB595, 2SB995, 2SD743A, BD244C, BD540C, BD802, BD954, BD956, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT96, BDT96F, KSA1010, KTB1367, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G, MJF15031, MJF15031G