Цоколевка транзистора 2SB706-Q

|

Характеристики транзистора 2SB706-Q

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -180 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -180 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -10 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 200 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 200
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 14 МГц
• Корпус: TO-3

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB706 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB706-S имеет коэффициент усиления в диапазоне от 40 до 80, 2SB706-R — в диапазоне от 60 до 120, 2SB706-Q — в диапазоне от 100 до 200.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB706-Q часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B706-Q«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB706-Q является транзистор 2SD746-Q c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB706-Q можно заменить на 2SA909, 2SB706A, 2SB706A-Q, 2SB723, 2SB723-C