Цоколевка транзистора 2SB706-R
|
Характеристики транзистора 2SB706-R
- Структура — p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -180 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -180 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
- Ток коллектора, не более: -10 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 200 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 120
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 14 МГц
- Корпус: TO-3
Классификация по hFE
Транзисторы серии 2SB706 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB706-S имеет коэффициент усиления в диапазоне от 40 до 80, 2SB706-R — в диапазоне от 60 до 120, 2SB706-Q — в диапазоне от 100 до 200.
Маркировка
Обозначение на корпусе транзистора 2SB706-R часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B706-R«.
Комплементарная пара
Комплементарной парой для 2SB706-R является транзистор 2SD746-R c n-p-n структурой.
Аналоги
Транзистор 2SB706-R можно заменить на 2SA909, 2SB554, 2SB706A, 2SB706A-R, 2SB723, 2SB723-B, MJ15012, MJ15012G