Цоколевка транзистора 2SB708

|

Характеристики транзистора 2SB708

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -80 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -7 V
• Ток коллектора, не более: -7 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 200
• Корпус: TO-220

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB708 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB708-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 40 до 80, 2SB708-O — в диапазоне от 60 до 120, 2SB708-Y — в диапазоне от 100 до 200.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB708 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B708«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB708 является транзистор 2SD569 c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB708 можно заменить на 2SA1010, BD538, BD800, BD802, BD810, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, KSA1010, KSB708, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G, MJF15031, MJF15031G