Цоколевка транзистора 2SB708-Y
|
Характеристики транзистора 2SB708-Y
- Структура — p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -80 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -7 V
- Ток коллектора, не более: -7 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 200
- Корпус: TO-220
Классификация по hFE
Транзисторы серии 2SB708 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB708-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 40 до 80, 2SB708-O — в диапазоне от 60 до 120, 2SB708-Y — в диапазоне от 100 до 200.
Маркировка
Обозначение на корпусе транзистора 2SB708-Y часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B708-Y«.
Комплементарная пара
Комплементарной парой для 2SB708-Y является транзистор 2SD569-K c n-p-n структурой.
Аналоги
Транзистор 2SB708-Y можно заменить на 2SA1010, 2SA1010K, 2SA1077, 2SA1329, 2SA1452A, 2SB1018, 2SB1018A, 2SB870, 2SB946, 2SB992, BD538, BD544B, BD544C, BD546B, BD546C, BD800, BD802, BD810, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, KSA1010, KSA1010Y, KSB708, KSB708-Y, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE15033, MJE15033G, MJE15035, MJE15035G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G, MJF15031, MJF15031G