Цоколевка транзистора 2SB716A
|
Характеристики транзистора 2SB716A
- Структура — p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -120 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -120 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
- Ток коллектора, не более: -0.05 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.75 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 250 до 500
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц
- Корпус: TO-92MOD
Классификация по hFE
Транзисторы серии 2SB716A делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB716A-D имеет коэффициент усиления в диапазоне от 250 до 500.
Маркировка
Обозначение на корпусе транзистора 2SB716A часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B716A«.
Комплементарная пара
Комплементарной парой для 2SB716A является транзистор 2SD756A c n-p-n структурой.
Аналоги
Транзистор 2SB716A можно заменить на 2SA1016K, 2SA1082, 2SA1082-D, 2SA1085, 2SA1085-D, 2SA1285, 2SA1285-F, 2SA1285A, 2SA1285A-F, 2SA1376, 2SA872A, 2SA872A-D, 2SA970, 2SA992, 2SB716, 2SB716-D, KSA992, KTA1279