Цоколевка транзистора 2SB750A-Q
|
Характеристики транзистора 2SB750A-Q
- Структура — p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -80 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
- Ток коллектора, не более: -2 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 35 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 2000 до 5000
- Корпус: TO-220
Классификация по hFE
Транзисторы серии 2SB750A делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB750A-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 1000 до 2500, 2SB750A-Q — в диапазоне от 2000 до 5000, 2SB750A-P — в диапазоне от 4000 до 10000.
Маркировка
Обозначение на корпусе транзистора 2SB750A-Q часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B750A-Q«.
Комплементарная пара
Комплементарной парой для 2SB750A-Q является транзистор 2SD836A-Q c n-p-n структурой.
Аналоги
Транзистор 2SB750A-Q можно заменить на 2N6041, 2N6041G, 2N6042, 2N6042G, 2N6668, 2N6668G, 2SA1488A, 2SA1667, 2SA1668, 2SA771, 2SB1020, 2SB1020A, 2SB1024, 2SB547, 2SB673, 2SB674, 2SB751A, 2SB751A-Q, BD240B, BD240C, BD242B, BD242C, BD244B, BD244C, BD538, BD540B, BD540C, BD544B, BD544C, BD546B, BD546C, BD648, BD650, BD652, BD800, BD802, BD810, BD900, BD900A, BD902, BD952, BD954, BD956, BDT60A, BDT60B, BDT60C, BDT62A, BDT62B, BDT62C, BDT64A, BDT64B, BDT64C, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW24B, BDW24C, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, BDW54B, BDW54C, BDW54D, BDW64B, BDW64C, BDW64D, BDW74B, BDW74C, BDW74D, BDX34B, BDX34BG, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, BDX54B, BDX54BG, BDX54C, BDX54CG, BDX54D, BDX54E, BDX54F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D45C10, D45C11, D45C12, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE15033, MJE15033G, MJE15035, MJE15035G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G, MJE702T, MJE703T, MJF127, MJF127G, MJF15031, MJF15031G, TIP106, TIP106G, TIP107, TIP107G, TIP116, TIP116G, TIP117, TIP117G, TIP126, TIP126G, TIP127, TIP127G, TIP136, TIP136G, TIP137, TIP137G, TIP147T, TTB1020B