Цоколевка транзистора 2SB757

|

Характеристики транзистора 2SB757

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -40 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -40 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -15 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 80 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 240
• Корпус: TO-3P

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB757 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B757«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB757 является транзистор 2SD847 c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB757 можно заменить на BD246, BD246A, BD246B, BD246C, BD250, BD250A, BD250B, BD250C, TIP36CA