Цоколевка транзистора 2SB760
|
Характеристики транзистора 2SB760
- Структура — p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
- Ток коллектора, не более: -1 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 30 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 250
- Корпус: TO-220
Классификация по hFE
Транзисторы серии 2SB760 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB760-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 40 до 90, 2SB760-Q — в диапазоне от 70 до 150, 2SB760-P — в диапазоне от 120 до 250.
Маркировка
Обозначение на корпусе транзистора 2SB760 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B760«.
Комплементарная пара
Комплементарной парой для 2SB760 является транзистор 2SD855 c n-p-n структурой.
Аналоги
Транзистор 2SB760 можно заменить на 2SA1262, 2SA1488, 2SA1488A, 2SA770, 2SA771, 2SB507, 2SB547, 2SB633, 2SB761, 2SB761A, 2SB762, 2SB762A, 2SB942, 2SB942A, BD204, BD240A, BD240B, BD240C, BD242A, BD242B, BD242C, BD244A, BD244B, BD244C, BD304, BD536, BD538, BD540A, BD540B, BD540C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD936, BD936F, BD938, BD938F, BD940, BD940F, BD942, BD942F, BD950, BD952, BD954, BD956, BDT30A, BDT30B, BDT30C, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D44C7, D44C8, D44C9, D45C10, D45C11, D45C12, D45C7, D45C8, D45C9, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G, MJF15031, MJF15031G