Цоколевка транзистора 2SB762A

|

Характеристики транзистора 2SB762A

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -80 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -4 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 250
• Корпус: TO-220

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB762A делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB762A-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 40 до 90, 2SB762A-Q — в диапазоне от 70 до 150, 2SB762A-P — в диапазоне от 120 до 250.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB762A часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B762A«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB762A является транзистор 2SD857A c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB762A можно заменить на 2SA1488A, 2SA771, 2SB633, 2SB942A, BD244B, BD244C, BD538, BD540B, BD540C, BD800, BD802, BD810, BD952, BD954, BD956, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D45C10, D45C11, D45C12, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G, MJF15031, MJF15031G