Цоколевка транзистора 2SB764-E

|

Характеристики транзистора 2SB764-E

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.9 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 200
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц
• Корпус: TO-92MOD

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB764 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB764-D имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SB764-E — в диапазоне от 100 до 200, 2SB764-F — в диапазоне от 160 до 320.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB764-E часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B764-E«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB764-E является транзистор 2SD863-E c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB764-E можно заменить на 2SA1013, 2SA1013O, 2SA1275, 2SA1275-O, 2SA1283, 2SA1315, 2SA1534A, 2SA684, 2SA965, 2SB647, 2SB647A, 2SB647AC, 2SB647C, 2SB740, 2SB740-B, 2SB892, 2SB892-R, 2SB985, 2SB985R, KSA1013, KSA1013O, KTA1275, KTA1275O, KTA708, KTA708-Y, KTB764, KTB764-Y