Цоколевка транзистора 2SB768-K

|

Характеристики транзистора 2SB768-K

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -200 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -2 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 2 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 200
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 10 МГц
• Корпус: TO-252

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB768 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB768-M имеет коэффициент усиления в диапазоне от 40 до 80, 2SB768-L — в диапазоне от 60 до 120, 2SB768-K — в диапазоне от 100 до 200.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB768-K часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B768-K«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB768-K является транзистор 2SD1033-K c n-p-n структурой.