Цоколевка транзистора 2SB768-L
|
Характеристики транзистора 2SB768-L
- Структура — p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -200 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
- Ток коллектора, не более: -2 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 2 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 120
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 10 МГц
- Корпус: TO-252
Классификация по hFE
Транзисторы серии 2SB768 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB768-M имеет коэффициент усиления в диапазоне от 40 до 80, 2SB768-L — в диапазоне от 60 до 120, 2SB768-K — в диапазоне от 100 до 200.
Маркировка
Обозначение на корпусе транзистора 2SB768-L часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B768-L«.
Комплементарная пара
Комплементарной парой для 2SB768-L является транзистор 2SD1033-L c n-p-n структурой.