Цоколевка транзистора 2SB795-L
|
Характеристики транзистора 2SB795-L
- Структура — p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -80 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -8 V
- Ток коллектора, не более: -1.5 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 10 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 4000 до 10000
- Корпус: TO-126
Классификация по hFE
Транзисторы серии 2SB795 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB795-M имеет коэффициент усиления в диапазоне от 2000 до 5000, 2SB795-L — в диапазоне от 4000 до 10000, 2SB795-K — в диапазоне от 8000 до 30000.
Маркировка
Обозначение на корпусе транзистора 2SB795-L часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B795-L«.
Комплементарная пара
Комплементарной парой для 2SB795-L является транзистор 2SD986-L c n-p-n структурой.
Аналоги
Транзистор 2SB795-L можно заменить на 2N6036, 2N6036G, 2SB1149, BD170, BD238, BD238G, BD680, BD680A, BD680AG, BD680G, BD682, BD682G, BD780, KSB1149, KSB1149-Y, KSB795, KSB795-O, KSE702, KSE703, MJE252, MJE254, MJE271, MJE271G, MJE702, MJE702G, MJE703, MJE703G, MJE712