Цоколевка транзистора 2SB812-R
|
Характеристики транзистора 2SB812-R
- Структура — p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
- Ток коллектора, не более: -4 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 60 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 90
- Корпус: TO-3P
Классификация по hFE
Транзисторы серии 2SB812 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB812-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 40 до 90, 2SB812-Q — в диапазоне от 70 до 150, 2SB812-P — в диапазоне от 120 до 250.
Маркировка
Обозначение на корпусе транзистора 2SB812-R часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B812-R«.
Комплементарная пара
Комплементарной парой для 2SB812-R является транзистор 2SD1032-R c n-p-n структурой.
Аналоги
Транзистор 2SB812-R можно заменить на 2SA1106, 2SA2223, 2SA2223A, 2SB695, 2SB763, 2SB763-R, 2SB812A, 2SB812A-R, BD246A, BD246B, BD246C, BD250A, BD250B, BD250C, BD746A, BD746B, BD746C, BDV92, BDV94, BDV96, NTE391, TIP36CA