Цоколевка транзистора 2SB812A-P

|

Характеристики транзистора 2SB812A-P

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -80 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -4 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 60 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 120 до 250
• Корпус: TO-3P

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB812A делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB812A-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 40 до 90, 2SB812A-Q — в диапазоне от 70 до 150, 2SB812A-P — в диапазоне от 120 до 250.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB812A-P часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B812A-P«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB812A-P является транзистор 2SD1032A-P c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB812A-P можно заменить на 2SA1102, 2SA1106, 2SB965, 2SB966, BD246B, BD246C, BD250B, BD250C, BDV94, BDV96, MJL4302A, MJL4302AG, TIP36CA