Цоколевка транзистора 2SB825-Q

|

Характеристики транзистора 2SB825-Q

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V
• Ток коллектора, не более: -7 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 70 до 140
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 10 МГц
• Корпус: TO-220

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB825 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB825-Q имеет коэффициент усиления в диапазоне от 70 до 140, 2SB825-R — в диапазоне от 100 до 200, 2SB825-S — в диапазоне от 140 до 280.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB825-Q часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B825-Q«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB825-Q является транзистор 2SD1061-Q c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB825-Q можно заменить на 2N6107, 2N6107G, 2N6108, 2N6109, 2N6109G, 2N6110, 2N6490, 2N6490G, 2N6491, 2N6491G, 2SA1010, 2SA1077, 2SA1290, 2SA1290-Q, 2SA1291, 2SA1291-Q, 2SA1328, 2SA1328-O, 2SA1329, 2SA1329-O, 2SA1452A, 2SA1452A-O, 2SA1470, 2SA1470-Q, 2SA1471, 2SA1471-Q, 2SB1018, 2SB1018-O, 2SB1018A, 2SB1018A-O, 2SB1019, 2SB1019-O, 2SB1097, 2SB1135, 2SB1135-Q, 2SB1136, 2SB1136-Q, 2SB553, 2SB553-O, 2SB707, 2SB708, 2SB826, 2SB826-Q, 2SB870, 2SB946, 2SB992, 2SB992-O, 2SB993, 2SB993-O, BD204, BD304, BD536, BD538, BD544A, BD544B, BD544C, BD546A, BD546B, BD546C, BD708, BD710, BD712, BD744A, BD744B, BD744C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD908, BD910, BD912, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT92, BDT92F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, FJP1943, FJPF1943, KSA1010, KSB1097, KSB707, KSB708, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE15033, MJE15033G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G, MJF15031, MJF15031G, NTE197