Цоколевка транзистора 2SB826

|

Характеристики транзистора 2SB826

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V
• Ток коллектора, не более: -12 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 70 до 280
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 10 МГц
• Корпус: TO-220

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB826 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB826-Q имеет коэффициент усиления в диапазоне от 70 до 140, 2SB826-R — в диапазоне от 100 до 200, 2SB826-S — в диапазоне от 140 до 280.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB826 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B826«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB826 является транзистор 2SD1062 c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB826 можно заменить на 2SB1136, BD546A, BD546B, BD546C, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F