Цоколевка транзистора 2SB826-Q

|

Характеристики транзистора 2SB826-Q

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V
• Ток коллектора, не более: -12 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 70 до 140
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 10 МГц
• Корпус: TO-220

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB826 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB826-Q имеет коэффициент усиления в диапазоне от 70 до 140, 2SB826-R — в диапазоне от 100 до 200, 2SB826-S — в диапазоне от 140 до 280.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB826-Q часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B826-Q«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB826-Q является транзистор 2SD1062-Q c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB826-Q можно заменить на 2N6490, 2N6490G, 2N6491, 2N6491G, 2SA1328, 2SA1328-O, 2SA1329, 2SA1329-O, 2SA1452A, 2SA1452A-O, 2SB1136, 2SB1136-Q, BD546A, BD546B, BD546C, BD708, BD710, BD712, BD744A, BD744B, BD744C, BD908, BD910, BD912, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, FJP1943, FJPF1943