Цоколевка транзистора 2SB828-R
|
Характеристики транзистора 2SB828-R
- Структура — p-n-p
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -50 В
- Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V
- Ток коллектора, не более: -12 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 80 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 200
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 10 МГц
- Корпус: TO-3P
Классификация по hFE
Транзисторы серии 2SB828 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB828-Q имеет коэффициент усиления в диапазоне от 70 до 140, 2SB828-R — в диапазоне от 100 до 200, 2SB828-S — в диапазоне от 140 до 280.
Маркировка
Обозначение на корпусе транзистора 2SB828-R часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B828-R«.
Комплементарная пара
Комплементарной парой для 2SB828-R является транзистор 2SD1064-R c n-p-n структурой.
Аналоги
Транзистор 2SB828-R можно заменить на 2SA1292, 2SA1292-R, 2SB1162, 2SB1162-P, 2SB1163, 2SB1163-P, 2SB817, 2SB817-E, 2SB829, 2SB829-R, BD246A, BD246B, BD246C, BD250A, BD250B, BD250C, KTB817, KTB817-Y, KTB817B, KTB817B-Y, MJL4302A, MJL4302AG, TIP36CA