Цоколевка транзистора 2SB870-P

|

Характеристики транзистора 2SB870-P

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -130 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -7 V
• Ток коллектора, не более: -7 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 130 до 260
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 30 МГц
• Корпус: TO-220

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB870 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB870-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SB870-Q — в диапазоне от 90 до 180, 2SB870-P — в диапазоне от 130 до 260.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB870-P часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B870-P«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB870-P является транзистор 2SD866-P c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB870-P можно заменить на 2SB946, 2SB946-P, MJE15031, MJE15031G, MJE15033, MJE15033G, MJE15035, MJE15035G, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G, MJF15031, MJF15031G