Цоколевка транзистора 2SB965-P

|

Характеристики транзистора 2SB965-P

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -120 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -120 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -7 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 70 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 160 до 320
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 75 МГц
• Корпус: TO-3P

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SB965 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SB965-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SB965-Q — в диапазоне от 100 до 200, 2SB965-P — в диапазоне от 160 до 320.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SB965-P часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «B965-P«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SB965-P является транзистор 2SD1288-P c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор 2SB965-P можно заменить на 2SA1106, 2SB966, 2SB966-P