Цоколевка транзистора 2SC3789-D

|

Характеристики транзистора 2SC3789-D

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 300 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 300 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 0.1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 7 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 120
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 70 МГц
• Корпус: TO-126F

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SC3789 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SC3789-C имеет коэффициент усиления в диапазоне от 40 до 80, 2SC3789-D — в диапазоне от 60 до 120, 2SC3789-E — в диапазоне от 100 до 200, 2SC3789-F — в диапазоне от 160 до 320.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SC3789-D часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «C3789-D«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SC3789-D является транзистор 2SA1479-D c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор 2SC3789-D можно заменить на 2SC3790, 2SC3790-D