Цоколевка транзистора 2SD1158
|
Характеристики транзистора 2SD1158
- Структура — n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 50 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 80 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 10 V
- Ток коллектора, не более: 8 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 250
- Корпус: TO-220
Маркировка
Обозначение на корпусе транзистора 2SD1158 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «D1158«.
Аналоги
Транзистор 2SD1158 можно заменить на 2N6044, 2N6044G, 2N6045, 2N6045G, 2N6388, 2N6388G, 2N6530, 2N6531, 2N6532, 2N6533, BD645, BD647, BD649, BD651, BD899, BD899A, BD901, BDT63A, BDT63B, BDT63C, BDT65A, BDT65B, BDT65C, BDW41, BDW41G, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW73B, BDW73C, BDW73D, BDW93B, BDW93C, BDW93CF, BDX33B, BDX33BG, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53B, BDX53BG, BDX53C, BDX53CG, BDX53D, BDX53E, BDX53F, MJF6388, MJF6388G, TIP101, TIP101G, TIP102, TIP102G, TIP131, TIP131G, TIP132, TIP132G, TIP142T