Цоколевка транзистора 2SD1220-R

|

Характеристики транзистора 2SD1220-R

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 150 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 150 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V
• Ток коллектора, не более: 1.5 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 10 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 120
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц
• Корпус: TO-251

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SD1220 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD1220-R имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SD1220-O — в диапазоне от 100 до 200, 2SD1220-Y — в диапазоне от 160 до 320.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SD1220-R часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «D1220-R«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SD1220-R является транзистор 2SB905-R c p-n-p структурой.