Цоколевка транзистора 2SD1399

|

Характеристики транзистора 2SD1399

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 800 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 1500 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V
• Ток коллектора, не более: 6 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 50 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 8
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
• Корпус: TO-3P

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SD1399 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «D1399«.

Аналоги

Транзистор 2SD1399 можно заменить на 2SD1403