Цоколевка транзистора 2SD1616A-L
|
Характеристики транзистора 2SD1616A-L
- Структура — n-p-n
- Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В
- Напряжение коллектор-база, не более: 120 В
- Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V
- Ток коллектора, не более: 1 А
- Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.75 Вт
- Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 135 до 270
- Граничная частота коэффициента передачи тока: 160 МГц
- Корпус: TO-92
Классификация по hFE
Транзисторы серии 2SD1616A делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD1616AL имеет коэффициент усиления в диапазоне от 135 до 270, 2SD1616AK — в диапазоне от 200 до 400, 2SD1616A-L — в диапазоне от 135 до 270, 2SD1616A-K — в диапазоне от 200 до 400, 2SD1616A-U — в диапазоне от 300 до 600.
Маркировка
Обозначение на корпусе транзистора 2SD1616A-L часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «D1616A-L«.
Комплементарная пара
Комплементарной парой для 2SD1616A-L является транзистор 2SB1116A-L c p-n-p структурой.
Аналоги
Транзистор 2SD1616A-L можно заменить на 2SC2383, 2SC3228, 2SD667, KSC2383, KSD1616A, KSD1616A-Y, KTC3228