Цоколевка транзистора 2SD1616K

|

Характеристики транзистора 2SD1616K

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 50 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V
• Ток коллектора, не более: 1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.75 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 200 до 400
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 70 МГц
• Корпус: TO-92

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SD1616 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD1616L имеет коэффициент усиления в диапазоне от 135 до 270, 2SD1616K — в диапазоне от 200 до 400, 2SD1616U — в диапазоне от 300 до 600, 2SD1616-L — в диапазоне от 135 до 270, 2SD1616-K — в диапазоне от 200 до 400, 2SD1616-U — в диапазоне от 300 до 600.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SD1616K часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «D1616K«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SD1616K является транзистор 2SB1116K c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор 2SD1616K можно заменить на 2SC4408, 2SC4604, 2SC6043, 2SD1207, 2SD1207-T, 2SD1347, 2SD1347T, 2SD1616A, 2SD1616A-K, 2SD1616AK, 2SD789, KSD1616, KSD1616-G, KSD1616A, KSD1616A-G