Цоколевка транзистора 2SD1691-M

|

Характеристики транзистора 2SD1691-M

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V
• Ток коллектора, не более: 5 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 20 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 200
• Корпус: TO-126

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SD1691 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD1691-M имеет коэффициент усиления в диапазоне от 100 до 200, 2SD1691-L — в диапазоне от 160 до 320, 2SD1691-K — в диапазоне от 200 до 400.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SD1691-M часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «D1691-M«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SD1691-M является транзистор 2SB1151-M c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор 2SD1691-M можно заменить на KSD1691, KSD1691-O