Цоколевка транзистора 2SD1714-Q

|

Характеристики транзистора 2SD1714-Q

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 140 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 140 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 7 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 80 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 120
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 20 МГц
• Корпус: TO-3PF

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SD1714 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD1714-Q имеет коэффициент усиления в диапазоне от 60 до 120, 2SD1714-S — в диапазоне от 80 до 160, 2SD1714-P — в диапазоне от 100 до 200.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SD1714-Q часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «D1714-Q«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SD1714-Q является транзистор 2SB1159-Q c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор 2SD1714-Q можно заменить на 2SC3799, 2SC4388, 2SC4886, 2SC5101, 2SC5359, 2SD1715, 2SD1715-Q, 2SD1716, 2SD1716-Q, FJAF4310