Цоколевка транзистора 2SD552-DN

|

Характеристики транзистора 2SD552-DN

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 180 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 220 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 15 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 150 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 25 до 50
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц
• Корпус: TO-3

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SD552 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD552-DN имеет коэффициент усиления в диапазоне от 25 до 50, 2SD552-R — в диапазоне от 40 до 80.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SD552-DN часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «D552-DN«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SD552-DN является транзистор 2SB552-BN c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор 2SD552-DN можно заменить на 2N6546, 2N6547, 2N6676, 2N6677, 2N6678, BUX48, BUX48A, BUX48B, BUX48C, MJ12022, MJ15022, MJ15022G, MJ15024, MJ15024G, MJ21194, MJ21194G, MJ21196, MJ21196G