Цоколевка транзистора 2SD789-B

|

Характеристики транзистора 2SD789-B

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 50 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 100 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V
• Ток коллектора, не более: 1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.9 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 200
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц
• Корпус: TO-92MOD

Классификация по hFE

Транзисторы серии 2SD789 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор 2SD789-B имеет коэффициент усиления в диапазоне от 100 до 200, 2SD789-C — в диапазоне от 160 до 320, 2SD789-D — в диапазоне от 250 до 500, 2SD789-E — в диапазоне от 400 до 800.

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SD789-B часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «D789-B«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SD789-B является транзистор 2SB740-B c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор 2SD789-B можно заменить на 2SC2383, 2SC2383O, 2SC3228, 2SC3228-O, 2SD667, 2SD667A, 2SD667AC, 2SD667C, KSC2383, KSC2383O, KTC3228, KTC3228O