Цоколевка транзистора 2SD847

|

Характеристики транзистора 2SD847

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 40 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 40 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 15 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 80 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 240
• Корпус: TO-3P

Маркировка

Обозначение на корпусе транзистора 2SD847 часто наносится без первой цифры и буквы, т.е. маркируется как «D847«.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для 2SD847 является транзистор 2SB757 c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор 2SD847 можно заменить на 2SC3320, 2SD1313, BD245, BD245A, BD245B, BD245C, BD249, BD249A, BD249B, BD249C, TIP35CA