Цоколевка транзистора BC635

|

Характеристики транзистора BC635

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 45 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 0.5 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 250
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 200 МГц
• Корпус: TO-92

Комплементарная пара

Комплементарной парой для BC635 является транзистор BC636 c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор BC635 можно заменить на KSC1008C, KSC1009C