Цоколевка транзистора BC875

|

Характеристики транзистора BC875

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 1 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.8 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 2000
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц
• Корпус: TO-92

Комплементарная пара

Комплементарной парой для BC875 является транзистор BC876 c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор BC875 можно заменить на BC877, BC879