Цоколевка транзистора BD135G

|

Характеристики транзистора BD135G

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 45 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 1.5 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 12.5 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 250
• Корпус: TO-126

Комплементарная пара

Комплементарной парой для BD135G является транзистор BD136G c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор BD135G можно заменить на BD131, BD135, BD137, BD137G, BD139, BD139G, BD165, BD167, BD169, BD175, BD177, BD179, BD187, BD189, BD226, BD228, BD230, BD233, BD233G, BD235, BD235G, BD237, BD237G, BD375, BD377, BD379, BD785, BD787, BD787G, BD789, BD791, MJE225, MJE242, MJE244, MJE721, MJE722