Цоколевка транзистора BD176-10

|

Характеристики транзистора BD176-10

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -45 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -45 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -3 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 30 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 63 до 160
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
• Корпус: TO-126

Классификация по hFE

Транзисторы серии BD176 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор BD176-6 имеет коэффициент усиления в диапазоне от 40 до 60, BD176-10 — в диапазоне от 63 до 160, BD176-16 — в диапазоне от 100 до 250.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для BD176-10 является транзистор BD175-10 c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор BD176-10 можно заменить на 2SB744, 2SB744A, BD132, BD178, BD178-10, BD180, BD180-10, BD180G, BD188, BD190, BD786, BD788, BD788G, BD790, BD792, KSB744, KSB744A, KSE171, KSE172, MJE171, MJE171G, MJE172, MJE172G, MJE233, MJE235, MJE250, MJE251, MJE252, MJE253, MJE253G, MJE254