Цоколевка транзистора BD536K

|

Характеристики транзистора BD536K

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -60 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -8 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 50 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 100
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
• Корпус: TO-220

Классификация по hFE

Транзисторы серии BD536 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор BD536J имеет коэффициент усиления в диапазоне от 30 до 75, BD536K — в диапазоне от 40 до 100.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для BD536K является транзистор BD535K c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор BD536K можно заменить на 2N6490, 2N6490G, 2N6491, 2N6491G, BD204, BD304, BD538, BD538K, BD708, BD710, BD712, BD744A, BD744B, BD744C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD908, BD910, BD912, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT92, BDT92F, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE2901T, MJE2955T, MJE2955TG, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G, MJF15031, MJF15031G, MJF2955, MJF2955G