Цоколевка транзистора BD538J

|

Характеристики транзистора BD538J

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -80 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -8 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 50 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 30 до 75
• Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
• Корпус: TO-220

Классификация по hFE

Транзисторы серии BD538 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор BD538J имеет коэффициент усиления в диапазоне от 30 до 75, BD538K — в диапазоне от 40 до 100.

Комплементарная пара

Комплементарной парой для BD538J является транзистор BD537J c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор BD538J можно заменить на 2N6491, 2N6491G, BD710, BD712, BD744B, BD744C, BD800, BD802, BD810, BD910, BD912, BDT94, BDT94F, BDT96, BDT96F, BDX78, MJE5850, MJE5850G, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G, MJF2955, MJF2955G