Цоколевка транзистора BD649

|

Характеристики транзистора BD649

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 120 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 8 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 62.5 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 750
• Корпус: TO-220

Комплементарная пара

Комплементарной парой для BD649 является транзистор BD650 c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор BD649 можно заменить на BD651, BDT63C, BDT65C, BDW43, BDW73D, BDX33D