Цоколевка транзистора BD676G

|

Характеристики транзистора BD676G

• Структура — p-n-p
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -45 В
• Напряжение коллектор-база, не более: -45 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
• Ток коллектора, не более: -4 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 750
• Корпус: TO-126

Комплементарная пара

Комплементарной парой для BD676G является транзистор BD675G c n-p-n структурой.

Аналоги

Транзистор BD676G можно заменить на 2N6035, 2N6035G, 2N6036, 2N6036G, BD676, BD676A, BD676AG, BD678, BD678A, BD678AG, BD678G, BD680, BD680A, BD680AG, BD680G, BD682, BD682G, BD776, BD778, BD780, KSE700, KSE701, KSE702, KSE703, MJE700, MJE700G, MJE701, MJE701G, MJE702, MJE702G, MJE703, MJE703G