Цоколевка транзистора BD679AG

|

Характеристики транзистора BD679AG

• Структура — n-p-n
• Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В
• Напряжение коллектор-база, не более: 80 В
• Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
• Ток коллектора, не более: 4 А
• Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт
• Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 750
• Корпус: TO-126

Комплементарная пара

Комплементарной парой для BD679AG является транзистор BD680AG c p-n-p структурой.

Аналоги

Транзистор BD679AG можно заменить на 2N6039, 2N6039G, BD679, BD679A, BD679G, BD681, BD681G, BD779, KSE802, KSE803, MJE802, MJE802G, MJE803, MJE803G